[发明专利]一种等离子体刻蚀晶圆的温度分布检测装置在审
| 申请号： | 202011026682.5 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112212994A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 王超;钟业奎;贾镜材;邱安美;张泽展;喻培丰;牛夷;姜晶 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 陈一鑫 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明公开了一种等离子体刻蚀晶圆的温度分布检测装置，涉及半导体技术领域，通过在晶圆表面设置若干温度传感器；检测对应点的温度值，进而得到所述晶圆的温度分布情况。避免对等离子体刻蚀工艺腔室做特殊处理，具有较高的实用性，同时，可以通过设置较多的监测点，来实现检测晶圆表面较多分布点的温度，采样率相对较高，因此可获得准确度较高的晶圆表面温度分布，保证了晶圆片加工的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 温度 分布 检测 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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