[发明专利]集成电路装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011024385.7 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112563193A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李安璿;廖峻宏;吴振豪;李胜男;蔡腾群;赵皇麟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C09G1/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种集成电路装置的制造方法。本公开还涉及一半导体基板，具有组成均匀的金属，以及具有此金属与一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨剂以及第一胺基碱的第一浆料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨剂以及第二胺基碱的第二浆料研磨嵌入式表面。第二研磨剂与第一研磨剂不同。第二胺基碱与第一胺基碱不同。此金属与此氧化物在第一浆料中分别具有第一移除速率与第二移除速率，以及在第二浆料中分别具有第三移除速率与第四移除速率。第一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移除速率的比例为约1：0.5至约1：2。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
