[发明专利]一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法与应用在审

申请号：	202011021159.3	申请日：	2020-09-25
公开（公告）号：	CN112201709A	公开（公告）日：	2021-01-08
发明（设计）人：	沈凯;麦耀华;张玉;王晓青;刘娇;鲍飞雄	申请（专利权）人：	暨南大学
主分类号：	H01L31/0272	分类号：	H01L31/0272;H01L31/032;H01L31/0445;H01L31/18
代理公司：	广州市华学知识产权代理有限公司 44245	代理人：	殷妹
地址：	510632 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法与应用。本发明所述硒化锑薄膜太阳电池，其结构自下而上依次为：透明导电玻璃衬底、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层和背电极；其中，所述p型吸收层为硒化锑薄膜，所述硒化锑薄膜由Sb2Se3源在200～300℃的Se蒸气氛围下沉积得到。本发明通过引入高温高活性的Se蒸气，实现了生长过程中的化学环境的调控，降低了薄膜中的硒空位及缺陷密度，改善了薄膜电学性质，进而提高了硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
搜索关键词：	一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法应用
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摘要：本发明提供了一种基于二维碲纳米片的固体光探测器，包括基底、依次设置在基底上的隔离层和光吸收层，以及间隔设置在光吸收层上的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括二维碲纳米片。本发明提供的光探测器性能良好。本发明还提供了一种光探测器的制备方法，包括：将二维碲纳米片分散在有机溶剂中形成二维碲纳米片分散液，将二维碲纳米片分散液均匀涂布在隔离层上，干燥后得到光吸收层；在光吸收层上方以及未被光吸收层覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶，经曝光和显影后，形成电极图案；沉积电极材料，随后去除光刻胶，形成源极和漏极，得到基于二维碲纳米片的光探测器。本发明提供的制备方法简单易操作。

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摘要：本发明公开了一种宽光谱太阳能材料的制备方法，将铁粉、硒粉、铋粉和锂粉放入球磨容器中，球料比为13‑5，球磨30‑70min，获得混合物；将2‑氨基苯并噻唑‑6‑甲酸、十二烷基三甲基氯化铵、异丁基三乙氧基硅烷和氯丙酮混合，边搅拌边升温至50‑70℃，保温反应10‑20min；随后加入前述混合物，升温至120‑140℃，搅拌反应1‑3h；将产物放入旋转蒸发仪中，旋转蒸发至原体积1/3；于温度100‑120℃干燥、粉碎成颗粒物；将所得颗粒物中加入20‑25份D‑甘露糖醇，于温度140‑150℃搅拌反应1‑3h；随后进行过滤、干燥，在温度500‑600℃烧结反应30‑50min，待冷却后即可得到所述宽光谱太阳能材料。

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申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0272
摘要：一种高光响应近红外光电探测器，其特征在于具体结构为透明惰性基底/硒化锑薄膜/电极，其中硒化锑薄膜为经过后硒化处理的硒化锑薄膜；所述后硒化处理为将硒化锑薄膜在硒氛围中进行退火处理，其中所述硒氛围的硒蒸气分压为1～10000Pa，退火温度为150～400℃，处理时间为5～30min；或在硒化锑薄膜表面沉积一层硒，然后再进行退火处理，其中沉积的硒的厚度为1～500nm，退火温度为150～400℃，退火时间为10～60min。本发明的高光响应近红外光电探测器的原材料丰富，价格低廉，工艺简单、经济、可操作性强，且具有高灵敏度。

形成具有CuInSe₂和Cu(In,Ga)Se₂膜的太阳能电池的系统和方法-201380019485.2
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摘要：本发明提供了一种CdTe太阳能电池，包括玻璃衬底、光吸收层、第一电极区及第二电极区；光吸收层层叠于玻璃衬底上，光吸收层上表面设有第一电极区和第二电极区；第一电极区包括依次层叠的腐蚀的光吸收层、背接触过渡层和正极层；第二电极区包括依次层叠的N型层和负极层；腐蚀的光吸收层与光吸收层的上表面相接触；N型层与光吸收层的上表面相接触；第一电极区及第二电极区之间相互绝缘。本发明的CdTe太阳能电池，通过采用新型结构，减少了工艺流程，降低了生产成本，大大提高了碲化镉太阳能电池的光电转换效率，有利于规模化生产。

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摘要：一种制备三维多枝状硒化铜纳米晶光电薄膜材料的化学方法。该材料的制法是把铜片或具有金属铜表面的基底材料，单质硒粉，以及有机醇溶剂共置于聚四氟乙烯反应釜中，在190℃或大于190℃温度下直接反应1-3小时，在金属铜表面原位制得由三维树枝状结构的硒化铜纳米晶组成的光电薄膜材料。这种薄膜材料表现出了较好的光吸收和光致发光性能。反应结束后，自然冷却至室温，最后产物用无水乙醇清洗，50℃以下干燥。所述的具有金属铜表面的基底材料是指金属铜片以及表面镀了一层纳米金属铜的导电玻璃ITO。本发明使用有机醇溶剂作为反应介质，环境友好；没用任何添加剂及表面活性剂，不需要后续的提纯步骤并且晶型完美；反应快捷，操作方便，大大降低成本。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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