[发明专利]晶圆键合方法在审
| 申请号： | 202010982436.0 | 申请日： | 2020-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112071747A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 吴星鑫 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合方法，包括：提供待键合的第一晶圆和第二晶圆；根据所述第一晶圆的预设形变量对所述第一晶圆施压；通过测量施压后所述第一晶圆和所述第一对准标记的位置参数，获得所述第一晶圆的实际形变量；根据所述第一晶圆的实际形变量与所述预设形变量的差异计算所述第二晶圆的补偿形变量；根据所述补偿形变量对所述第二晶圆施压，以补偿所述第一晶圆的形变，实现第二晶圆形变量实时调节，从而消除第一晶圆和第二晶圆形变量差异因素，满足图案对准精度要求。通过实测施压后所述第一晶圆和所述第一对准标记的位置参数，能基于每一对键合晶圆进行动态测量及形变量补偿，以满足图案对准高精度要求，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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