[发明专利]支持高集成度的其中具有堆叠结构的半导体装置在审
| 申请号： | 202010965562.5 | 申请日： | 2020-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN113224081A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李相在;金在炯;殷东锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了具有堆叠结构的半导体装置。所述半导体装置包括在下堆叠结构上延伸的上堆叠结构，下堆叠结构在下面的基底上延伸。沟道结构延伸通过上堆叠结构和下堆叠结构。下堆叠结构包括设置为与下堆叠结构和上堆叠结构之间的界面相邻的第一下电极层以及设置为与下堆叠结构的中心相邻的第二下电极层。上堆叠结构包括设置为与界面相邻的第一上电极层以及设置为与上堆叠结构的中心相邻的第二上电极层。第一下电极层和第一上电极层中的至少一个比第二下电极层厚。至少一个绝缘层设置在第一下电极层与第一上电极层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 支持 集成度 其中 具有 堆叠 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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