[发明专利]一种力学传感器用铌酸锂单晶薄膜图形化刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010962862.8 | 申请日： | 2020-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN112125276A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 丑修建;毕开西;薛刚;耿文平;张乐;杨翔宇 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;H01L41/332 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 杨孟娟 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种力学传感器用铌酸锂单晶薄膜图形化刻蚀方法，包括：制作铌酸锂薄膜；清洗上述铌酸锂薄膜；在上述铌酸锂薄膜表面涂覆光刻胶或溅射金属薄膜，使用紫外光刻技术得到刻蚀用掩膜层；使用丙酮浸泡铌酸锂薄膜，剥离薄膜表面光刻胶；使用离子束刻蚀机对铌酸锂薄膜刻蚀；将刻蚀后薄膜进行标准清洗清除表面光刻胶残留获得铌酸锂薄膜图形化结构。本申请实现了离子束刻蚀的方法完成了铌酸锂单晶图形化刻蚀，获得了低粗糙度、高深宽比、高可靠性的铌酸锂图形化结构，通过不同的工艺流程优化，实现了铌酸锂的高质量长时间连续刻蚀，进而极大地提高了样品的成品率，为力学传感器的后继工艺提供了理论技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 力学 传感 器用 铌酸锂单晶 薄膜 图形 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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