[发明专利]一种三维堆叠存储芯片的温度变化计算方法有效

专利信息
申请号: 202010900741.0 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112037845B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 王毅;王先华;廖好;周池;毛睿 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G11C29/50 分类号: G11C29/50;G06F30/20;G01K13/10;G06F119/08
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 刘静
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种三维堆叠存储芯片的温度变化计算方法,将传热学与三维堆叠存储芯片的结构结合,根据存储芯片的物理结构参数构建三维物理模型,对三维物理模型中每个节点均匀选取其周围节点,基于存储芯片性能参数和环境温度建立导热微分方程,求解得到各节点下一时刻温度信息作为程序模拟温度,并定期启动温度传感器/热感相机等温度测量装置,获得精确的存储芯片温度信息对程序模拟温度进行校正,在得到较为精确温度信息的同时,也大大减少了温度测量装置在芯片运行时的工作时间,减少了整个存储系统的功耗、减少了存储芯片的带宽占用,同时延长了温度测量装置的使用寿命。
搜索关键词: 一种 三维 堆叠 存储 芯片 温度 变化 计算方法
【主权项】:
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