[发明专利]离子注入方法有效
| 申请号： | 202010872445.4 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111816540B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 范世炜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/304 | 分类号： | H01J37/304;H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种离子注入方法，通过获取等离子电子喷淋装置的发射电流；然后，将所述等离子电子喷淋装置的发射电流与一阈值进行比较，并根据比较结果判定所述等离子电子喷淋装置的发射电流的状态；接着，采用发射电流为异常状态的等离子电子喷淋装置对一垫片执行离子注入工艺，以调整所述等离子电子喷淋装置的发射电流的大小；接着，通过调整后的所述等离子电子喷淋装置对半导体衬底执行离子注入工艺。由此，提高所述等离子电子喷淋装置的发射电流的稳定性，从而解决因等离子电子喷淋装置的稳定性较差而造成的离子注入异常的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010872445.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
