[发明专利]堆栈结构SNS约瑟夫森结、电压基准及制备方法在审
| 申请号： | 202010871230.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111969099A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张露;闫恺心;曾俊文;陈垒;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/22;H01L27/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备包括提供衬底，制备NbN底层膜、超导金属复合叠层结构层以及NbN顶层膜，定义底电极和结区，制备隔离层和配线层。本发明通过引入堆栈结构SNS约瑟夫森结的制备方法，在保证输出电压的前提下成倍数的减少了分布式阵列的数量；调控磁控溅射参数实现了超导NbN和正常金属NbNx的制备，NbN/NbNx/NbN…NbN/NbNx/NbN叠层结构可以基于原位生长制备，可以防止层间污染，室温生长还能可以保证界面清晰无扩散，更加简化了结的工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 结构 sns 约瑟夫 电压 基准 制备 方法 | ||
【主权项】：
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