[发明专利]高填充因子低串扰的单光子探测器阵列及系统在审

专利信息
申请号: 202010821018.3 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN112033529A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 邓仕杰;李翔;张文涛;苑立波 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01J1/44 分类号: G01J1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明提供的是一种高填充因子低串扰的单光子探测器阵列及系统,由单光子雪崩光电二极管阵列1、主动淬灭电路阵列2、串扰抑制模块3、偏置电压电路4和信号处理系统5组成。本发明可用于实现单光子探测器阵列的高填充因子和低串扰,可广泛用于激光雷达、荧光寿命成像、正电子发射断层扫描、医学成像等极微弱光探测的领域。
搜索关键词: 填充 因子 低串扰 光子 探测器 阵列 系统
【主权项】:
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  • 一种程控增益式光电探测器的使用方法,包括以下步骤:S1、在光学平台上放置系统;S2、设置光路;S3、初始测量;S4、MCU自动调节;S5、数据传输;使用前置偏压探测器作为跨阻电路模块的输入,在跨阻电路模块中使用模拟开关与跨阻放大器,跨阻电路模块的输出端连接到下位机的A/D采集模块上,下位机MCU对A/D采集模块采集到的跨阻电路模块的电压进行获取,通过下位机MCU对跨阻电路模块进行控制,同时下位机串口与上位机串口进行连接;本发明具有高性价比、大动态范围、使用方法简便、便于改造等优势,可用于各类光电探测领域。
  • 一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器及制备方法-201910850391.9
  • 黄志明;胡涛;张惜月;陈允枫;张志博;阎蒋伟;潘昌翊;谢浩;王广艳 - 中国科学院上海技术物理研究所
  • 2019-09-10 - 2023-07-04 - G01J1/44
  • 本发明公开了一种基于相变材料的感温型太赫兹探测器及制备方法,所述探测器由氧化铝衬底,锑化铟敏感元,二氧化钒光栅结构层,半波天线和器件管座组成。本发明制备的感温型太赫兹探测器,在传统的金属‑半导体‑金属结构基础上,通过引入二氧化钒光栅结构层,利用二氧化钒在环境温度为68℃的相变转换特性,引起光栅结构层的电导率剧烈的变化,进而使整个器件的局域等离子体激元引起的场增强效应不同,达到一种太赫兹波探测的调制目的;在实现了0.01‑3THz的宽波段快速、高灵敏响应的同时,增加了对环境温度感知的新功能。这对于优化器件结构设计和完善器件功能都有着十分重要的意义,在科学和技术等领域将会发挥着重要作用。
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