[发明专利]一种MoS2在审

专利信息
申请号: 202010774780.0 申请日: 2020-08-04
公开(公告)号: CN111889112A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 程琳;郑海红;许为中;王顺利 申请(专利权)人: 杭州紫芯光电有限公司
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J37/34;B01J37/06;B01J37/02;C23C16/30;C01B32/186;C01B32/194;C01G39/06
代理公司: 杭州敦和专利代理事务所(普通合伙) 33296 代理人: 姜术丹
地址: 310000 浙江省杭州市江干区杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种MoS2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂的制备方法,通过CVD法在铜箔表面制备单层均匀石墨烯,通过湿法转移把单层石墨烯转移到二氧化硅基底表面,再通过两步CVD生长方法,在石墨烯表面生长MoS2,制备出MoS2/Graphene二维材料异质结可见光催化剂,其中,石墨烯具有优异的导电性能,能加速MoS2表面电子的传输,且异质结能够提高界面处电子空穴的分离效率,将提高复合材料的光电催化效率。
搜索关键词: 一种 mos base sub
【主权项】:
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