[发明专利]通过含氢碳薄膜与二硫化钼组成配副体系实现超滑宏观的方法在审

专利信息
申请号: 202010774368.9 申请日: 2020-08-04
公开(公告)号: CN111876753A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 张俊彦;贾倩;张斌;于元烈;高凯雄;赖振国 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/26;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35
代理公司: 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 代理人: 张英荷
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种通过含氢碳薄膜与二硫化钼组成配副体系实现超滑宏观的方法,等离子体气相沉积法制备的碳薄膜与高功率双极微脉冲反应磁控溅射制备的二硫化钼组成配副体系,磨擦过程在摩擦剪切力的作用下,无序的二硫化钼沿摩擦方向有序排列,形成少层有序结构,通过对摩擦界面的调控以实现碳膜在大气下的宏观超滑。实验表明,该体系在富氧环境中的摩擦系数以及耐磨特性会更优异。
搜索关键词: 通过 含氢碳 薄膜 二硫化钼 组成 体系 实现 宏观 方法
【主权项】:
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