[发明专利]通过含氢碳薄膜与二硫化钼组成配副体系实现超滑宏观的方法在审
申请号: | 202010774368.9 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN111876753A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 张俊彦;贾倩;张斌;于元烈;高凯雄;赖振国 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/26;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35 |
代理公司: | 兰州智和专利代理事务所(普通合伙) 62201 | 代理人: | 张英荷 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种通过含氢碳薄膜与二硫化钼组成配副体系实现超滑宏观的方法,等离子体气相沉积法制备的碳薄膜与高功率双极微脉冲反应磁控溅射制备的二硫化钼组成配副体系,磨擦过程在摩擦剪切力的作用下,无序的二硫化钼沿摩擦方向有序排列,形成少层有序结构,通过对摩擦界面的调控以实现碳膜在大气下的宏观超滑。实验表明,该体系在富氧环境中的摩擦系数以及耐磨特性会更优异。 | ||
搜索关键词: | 通过 含氢碳 薄膜 二硫化钼 组成 体系 实现 宏观 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的