[发明专利]多次可编程存储单元及存储装置有效
| 申请号： | 202010744694.5 | 申请日： | 2020-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN111900172B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王炜槐;胡涛;陆阳 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐灵;赵杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种多次可编程存储单元，包括：第一衬底；第一阱，配置于第一衬底上；第二阱，配置于第一阱上；第一电极区，配置于第二阱上；第二电极区，配置于第二阱上；第一栅极，配置于第二阱上，位于第一电极区、第二电极区之间；第三电极区，配置于第二阱上，包括第一子电极区及与其相耦接的第二子电极区，第一、第二子电极区的导电类型不同；第二栅极，配置于第二阱上，位于第二电极区、第二子电极区之间；第三阱，配置于第一阱上；第四电极区，配置于第三阱上，包括第三子电极区及与其相耦接的第四子电极区，第三、第四子电极区的导电类型不同；以及第三栅极，配置于第三阱上，位于第三子电极区、第四子电极区之间，耦接于第一栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 存储 单元 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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