[发明专利]PERC电池的背抛光方法

摘要

本公开涉及PERC电池的背抛光方法。该方法包括：S1、硅片抛光前的预处理；S2、硅片背面抛光处理；其包括：将硅片置于HF/H2SO4/HNO3/H2O的混合溶液中进行背面抛光，以形成类正方或长方形结构的制绒面；其中，HF、H2SO4、HNO3与H2O的体积比为1：0.3‑1.5：2.6‑3.0：1‑1.8，抛光温度为1‑12℃，抛光时间为20‑70s；S3、硅片的后处理。本公开提供的一种PERC电池的背抛光方法，通过采用新的酸抛光配比——富硫酸，低硝酸的配比，以在硅片的背面形成微观类正方或长方形结构，以提高硅片背面微观结构的平整度，从而解决了长波光子的损失和复合的损失，同时提高了硅片背面的光反射率、电池片的钝化能力和电池片的电性能。