[发明专利]存储器装置、磁阻式随机存取存储器装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202010696355.4 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112310275A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 葛卫伦;林世杰;宋明远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/02;H01L43/04;H01L43/12;H01L43/14 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的各种实施例涉及一种存储器装置，所述存储器装置包括上覆在自旋轨道扭矩(SOT)层之上的分流层。磁隧道结(MTJ)结构上覆在半导体衬底之上。磁隧道结结构包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道障壁层。底部电极通孔(BEVA)位于磁隧道结结构之下，其中底部电极通孔从磁隧道结结构横向偏移一横向距离。自旋轨道扭矩层垂直设置在底部电极通孔与磁隧道结结构之间，其中自旋轨道扭矩层沿所述横向距离连续延伸。分流层延伸跨过自旋轨道扭矩层的上表面，且延伸跨过所述横向距离的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 磁阻 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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