[发明专利]一种飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺在审
| 申请号： | 202010693932.4 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799169A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;陈政勋;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/48;B23K26/352 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开一种飞秒激光结合HF湿蚀刻加工TGV的工艺，包括以下步骤：S1、将晶圆键合玻璃载板，玻璃面采用飞秒激光扫描孔洞周边，运用HF蚀刻环形蚀刻孔洞；S2、对晶圆背面进行减薄和元件工程；S3、玻璃面运用HF蚀刻进行第二次的图案蚀刻加工，穿孔完成；S4、以剥离中间孤岛区域的玻璃，完成整体TGV贯穿；S5、用O |
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| 搜索关键词： | 一种 激光 结合 hf 蚀刻 加工 tgv 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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