[发明专利]用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法有效
申请号: | 202010635937.1 | 申请日: | 2020-07-03 |
公开(公告)号: | CN111910167B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 陈金元;朱帆;石湘波 | 申请(专利权)人: | 上海理想万里晖薄膜设备有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/54;C23C16/50;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法。该CVD设备包括:第一、第二加载/卸载腔,其相应包括纵向间隔交替设置的第一和第二、第三和第四m层托盘承载件;第一、第二CVD工艺腔,其对应接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、通过第一、第二工艺相应在硅片的第一面、第二面上沉积I/N、I/P型非晶硅薄膜;传输腔,其与第一、第二加载/卸载腔、第一、第二CVD工艺腔可联通地连接且接收来自第一、第三m层托盘承载件的托盘、将托盘对应传送至第一、第二CVD工艺腔、将承载有完成第一、第二工艺的硅片的托盘对应传送至第二、第四m层托盘承载件;硅片翻面装置,其接收对来自第二m层托盘承载件上的托盘进行下料所得的硅片并将其进行翻面。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 异质结 太阳能电池 cvd 设备 及其 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的