[发明专利]一种GaN基窄带发射共振腔发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010615441.8 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN111785819B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 吕雪芹;赵振宇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 张素斌 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种GaN基窄带发射共振腔发光二极管及其制作方法，涉及半导体发光器件领域。包括第一反射器、顶部金属电极、第一腔、发光有源区、第二腔、第二反射器、导电衬底；第一反射器为法布里‑珀罗滤波器结构的反射器，包含n对高‑低介质膜层和n对低‑高介质膜层，反射率数值在设计的中心波长λ处较低，在其他波长处较高，其反射率曲线在λ处存在一个透光凹带；第二反射器为反射率较高的金属反射器；其中，所述第一反射器、第一腔、发光有源区、第二腔和第二反射器共同构成谐振腔，有源区发光在谐振腔内来回传输，在第一反射器反射率曲线中透光凹带对反射光的调控作用下，GaN基窄带发射共振腔发光二极管在特定中心波长λ处实现单纵模窄带发射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 窄带 发射 共振 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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