[发明专利]薄膜金属电阻及其制造方法在审
| 申请号： | 202010599339.3 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111613726A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 周海洋;沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种薄膜金属电阻及其制造方法，其通过使薄膜金属电阻中的金属层具有凸起，该凸起增大了金属层中与所述连接孔对应的部分的厚度。在刻蚀形成连接孔时，可使连接孔伸入凸起中，而并不会进一步刻穿金属层，避免了设置在连接孔内的连接电极与金属层连接不良的问题，有效改善薄膜金属电阻的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 金属 电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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