[发明专利]碳化硅与硅混合并联开关管驱动电路

摘要

本发明涉及一种碳化硅与硅混合并联开关驱动电路。根据不同的拓扑结构可通过调节驱动电路的参数达到4种驱动模式的需求。本发明包括一个用于驱动高压开关管的驱动器(Driver)，以用来接收处理器发出来的PWM信号；在驱动高压SiCmosfet的电路中，驱动器(Driver)与SiCmosfet之间添加了两组辅助电路，电容Cd1一端与原有的驱动器(Driver)相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)源极相连，另一端与电阻Rd1相连，同时与低压的N沟道MOSFET(Sd1)栅极相连，电阻的另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连，辅助电路②包含电容Cd2、电阻Rd2、和一个低压的P沟道MOSFET(Sd2)；电容Cd2与低压的N沟道MOSFET(Sd1)漏极相连，电阻Rd2一端与低压的P沟道MOSFET(Sd2)的栅极相连，另一端与高压开关管的源极和驱动系统的参考地相连。