[发明专利]掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法在审
申请号: | 202010564772.3 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN112147840A | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 福井亨;桥本雅广;打田崇 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 韩锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
提供一种掩膜基板,能够在光刻胶膜上形成线宽度比激光描绘装置的激光的波长小的图案。掩膜基板在基板上具备遮光膜。遮光膜由含有金属元素的材料构成。遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜。在遮光膜从接近基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时,防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率n |
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搜索关键词: | 掩膜基板 转印用掩膜 及其 制造 方法 半导体设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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