[发明专利]绝缘层形成方法在审
| 申请号： | 202010562416.8 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112216652A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 松崎荣 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供绝缘层形成方法，在由热硬化树脂在晶片上形成绝缘层的情况下，不在第1布线层和第2布线层的连接部分形成氧化膜而形成绝缘层。绝缘层形成方法在上表面上形成有第1布线层的晶片的第1布线层上形成绝缘层，包含如下工序：在形成于晶片的上表面的第1布线层的上表面上和晶片的上表面上涂布感光性的热硬化树脂；对热硬化树脂的规定的区域照射光而使区域变质；在将用于使通过变质工序而变质的区域的变质树脂溶解的药液提供至变质树脂而使变质树脂溶解之后，将清洗水提供至晶片而将变质树脂去除；将实施了去除工序的晶片收纳于能够密闭的室中，使室密闭而使室内成为无氧；对收纳于成为无氧的室内的晶片进行加热而使热硬化树脂热硬化。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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