[发明专利]具有分布式列存取的高处理量DRAM在审
| 申请号： | 202010558808.7 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112397108A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 何源 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C11/4093;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有分布式列存取的高处理量DRAM。一种设备具有存储器裸片，所述存储器裸片具有划分成多个数据片段的存储器单元阵列。错调电路选择共同命令信号且设置列存取信号以基于所述共同命令信号及/或个别命令信号选择要存取的数据片段以对所选择的数据片段执行对应于所选择的共同命令信号的存储器操作。数据总线连接所述存储器单元阵列以形成数据单元，其中每一数据单元包含来自每一存储器单元阵列的数据片段且经配置使得所述数据片段并联连接到所述数据总线并使用所述数据总线的相同线。所述错调电路经配置使得经识别用于在所述多个存储器裸片中的激活的数据片段不是相同数据单元的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分布式 存取 处理 dram | ||
【主权项】：
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