[发明专利]一种锑化铟单晶的制备方法及其装置有效
| 申请号： | 202010540297.6 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111809229B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 黄幸慰;朱刘;狄聚青;易明辉;刘运连;何志达;尹士平;熊威 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 239000 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种锑化铟单晶的制备方法及其装置，涉及晶体的制备领域。本发明将锑化铟籽晶、锑化铟多晶以及三氧化二硼加入密闭容器中，再采用垂直布里奇曼法(VB法)进行晶体生长，制得锑化铟单晶，这样，晶体从熔体的底部开始生长，不会受到浮渣的干扰，且通过控制加热程序可实现晶体生长的自动化，相比Cz法，对拉晶工人工艺经验要求低，成品成功率高、位错密度低、质量稳定可控；通过在密闭容器的上方设置单独控温的加热区，能产生保温的效果，使物料能更准确地达到设定的温度，使所得晶体整体质量分布更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锑化铟单晶 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
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