[发明专利]一种薄膜铌酸锂基集成芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202010533310.5 | 申请日： | 2020-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN111736370A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 顾晓文;周奉杰;钱广;王琛全;孔月婵 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02F1/21 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜铌酸锂基集成芯片及制备方法，其衬底材料为硅基薄膜铌酸锂，波导为铌酸锂脊形波导，其结构包括输入输出端口、马赫曾德尔电光强度调制器、耦合双环谐振器，马赫曾德尔调制器包含2个1×2多模干涉耦合器、两个调制臂和一个GSG电极，耦合双环谐振器的两个耦合区采用基于马赫曾德尔干涉结构的耦合系数调谐单元，耦合区和腔内设置调控电极；射频信号通过调制器加载到光载波上，后经过谐振器处理，输出的信号通过输出端输出到探测器或者其他单元芯片，从而实现包括滤波、延时等的功能。本发明通过将电光调制器与微环谐振器集成，实现滤波与延时功能，且采用全硅基薄膜铌酸锂材料，拥有大带宽、快速调谐的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铌酸锂基 集成 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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