[发明专利]发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 202010530055.9 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111430515B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：将蓝宝石衬底放入反应室内；向所述反应室内通入反应气体，在所述蓝宝石衬底的部分区域内形成包含In原子的GaN晶核；在所述GaN晶核上生长至少一个复合层，所述GaN晶核长大形成缓冲层，每个所述复合层包括InGaN子层和生长在所述InGaN子层上的GaN子层；在所述缓冲层上依次生长N型GaN层、有源层和P型GaN层形成外延片，所述有源层包括交替层叠的InGaN量子阱和GaN量子垒。本公开通过形成体积大且稳定的GaN晶核，有效抵消蓝宝石衬底与GaN基材料之间晶格失配产生的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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