[发明专利]一种聚吡咯包覆Ni-Co-S纳米针阵列复合材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料，以乙酸镍、乙酸钴、尿素、硫脲为原料，制备NF/NiCo2S4纳米针阵列材料，再以聚吡咯为导电聚合物，通过黏结剂和固化剂，制得聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料，其中，纳米针状结构具有壳‑核结构，核结构为NiCo2S4，壳结构为聚吡咯。其制备方法包括以下步骤：1）NF/NiCo2O4纳米针阵列材料的制备；2）NF/NiCo2S4纳米针阵列材料的制备；3）聚吡咯包覆Ni‑Co‑S纳米针阵列复合材料的制备。作为超级电容器电极材料的应用，窗口电压为0‑0.5V，在放电电流密度为1A/g时，比电容为1800‑1900F/g。泡沫镍载体表面生长的纳米针阵列结构规整有序，比表面积大，利于电子的传输；采用直接滴覆的方法实现导电聚合物的包覆，有效提高电化学性能。