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[发明专利] 一种基于Ni@TiO2 -CN202310590257.6 在审
发明人：
褚海亮 ;尹承旺 ;夏永鹏 ;邱树君 ;邹勇进 徐芬 ;孙立贤
- 专利权人：
桂林电子科技大学
申请日：
2023-05-24
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公布日：
2023-08-15
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主分类号：
C01B6/04 文献下载
摘要： 本发明公开了一种基于Ni@TiO2 的氢化镁储氢材料，由氢化镁和Ni@TiO2 球磨制得；Ni@TiO2 由球状TiO2 和Ni纳米颗粒组成，其中，球状TiO2 由溶剂热法制得，Ni纳米颗粒先经化学合成法在球状TiO2 上负载Ni(OH)2 后，再在还原性气体条件下经煅烧法制得；TiO2 的微观形貌为球状，尺寸0.5‑1μm；Ni纳米颗粒为块体颗粒结构，负载于球状TiO2 表面。其制备方法包括以下步骤：1，球状TiO2 的制备；2，Ni(OH)2 @TiO2 前驱体的制备；3，Ni@TiO2 的制备；4，基于Ni@TiO2 的氢化镁储氢材料的制备。在储氢领域的应用，初始放氢温度为161℃；在300℃时，40 min内放氢量为6.3 wt%；在75℃时，60 min内吸氢量为4.5 wt%；在10次循环后，实际氢容量的容量保持率为84%。具有以下优点：球状TiO2 同时具有载体和催化剂的作用，作为载体时，具有结构稳定和比表面积大的特点；作为催化剂时，本身具备对MgH2 的催化作用，与表面Ni纳米颗粒产生协同作用。一种 基于 ni tio base sub
[发明专利] 一种NiFe-Se/PDA/NiMn-Se及其制备方法和应用 -CN202310580036.0 在审
发明人：
向翠丽 ;曲静远 ;邹勇进 徐芬 ;孙立贤
- 专利权人：
桂林电子科技大学
申请日：
2023-05-22
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公布日：
2023-07-28
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主分类号：
H01G11/86 文献下载
摘要： 本发明公开了一种NiFe‑Se/PDA/NiMn‑Se，首先，采用室温沉淀法制备200nm的纳米立方体结构NiFe‑PBA作为一级结构；然后，通过自聚包覆处理，在NiFe‑PBA一级结构表面包覆PDA制备250nm的NiFe‑PBA/PDA作为二级结构，增强一级结构的抗腐蚀能力和增大比表面积；之后，通过静置吸附处理，在NiFe‑PBA/PDA表面负载NiMn‑LDH制备250‑280nm的NiFe‑PBA/PDA/NiMn‑LDH作为三级结构，提高离子传输速率和进一步增大比表面积；最后，采用溶剂热法，对NiFe‑PBA/PDA/NiMn‑LDH进行硒化处理即可制得250‑280nm的NiFe‑Se/PDA/NiMn‑Se，硒化处理所起作用为获得FeSe2 、Ni3 Se4 及MnSe2 ，从而增加氧化还原活性位点、提升电导率和提升赝电容。作为超级电容器电极材料的应用，比电容为1400‑1500F/g；在8000次循环后，循环稳定性为80％。一种 nife se pda nimn 及其 制备 方法 应用
[发明专利] 一种花簇状Ni3 -CN202310273090.0 在审
发明人：
李彬 ;张浩华 ;孙玮琦 ;孙立贤 ;徐芬 ;郭荣荣 ;熊雯瑛 ;汪娟 ;邹勇进
- 专利权人：
桂林电子科技大学
申请日：
2023-03-20
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公布日：
2023-07-04
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主分类号：
C01B3/00 文献下载
摘要： 本发明公开了一种花簇状Ni3 Fe/TiO2 复合材料，由花簇状TiO2 和在其表面原位制备的Ni3 Fe颗粒的组成，花簇状TiO2 为先制备TiO2 /SiO2 ，再制备成空心花簇状TiO2 ；TiO2 /SiO2 的微观形貌为尺寸为50‑70nm的空心球状；花簇状TiO2 的微观形貌为尺寸为200‑500nm的中空花簇状结构；尺寸为3‑5μm的Ni3 Fe颗粒负载于花簇状TiO2 表面。其制备方法包括以下步骤：1，TiO2 /SiO2 前体的制备；2，花簇状TiO2 的制备；3，花簇状Ni3 Fe/TiO2 复合材料的制备。公开了一种基于Ni3 Fe/TiO2 的MgH2 基储氢材料的制备方法：在氩气条件下，将Ni3 Fe/TiO2 与MgH2 混合后进行正反转球磨。所得基于Ni3 Fe/TiO2 的MgH2 基储氢材料作为储氢材料的应用，Ni3 Fe/TiO2 的摻杂量为5wt％，初始脱氢温度为155‑175℃；在300℃条件下的脱氢量为6.9‑7.1wt％；在100℃条件下的吸氢量为4.2‑4.8wt％；15次循环后的保持率为96‑98％。一种 花簇 ni base sub
