[发明专利]一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片在审

专利信息
申请号: 202010518289.1 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN111682858A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 吴永乐;杨雨豪;王卫民;朱溪 申请(专利权)人: 北京邮电大学
主分类号: H03F3/21 分类号: H03F3/21;H03F1/52;H03F1/02
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 孟维娜;马敬
地址: 100876 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供了一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片,上述双频功率放大器芯片包括:衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7;其中,输入端口1与输入匹配电路3的第一端连接;输入匹配电路3的第二端与驱动级晶体管6的基极连接;驱动级晶体管6的集电极与级间匹配电路4的第一端连接;级间匹配电路4的第二端与输出级晶体管7的基极连接;输出级晶体管7的集电极与双频输出匹配电路5的第一端连接;双频输出匹配电路5的第二端与输出端口2连接。本发明实施例提供的双频功率放大器芯片具备双频工作能力。
搜索关键词: 一种 ingap gaas hbt 双频 功率放大器 芯片
【主权项】:
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