[发明专利]一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片在审
申请号: | 202010518289.1 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111682858A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 吴永乐;杨雨豪;王卫民;朱溪 | 申请(专利权)人: | 北京邮电大学 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F1/52;H03F1/02 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 孟维娜;马敬 |
地址: | 100876 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片,上述双频功率放大器芯片包括:衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7;其中,输入端口1与输入匹配电路3的第一端连接;输入匹配电路3的第二端与驱动级晶体管6的基极连接;驱动级晶体管6的集电极与级间匹配电路4的第一端连接;级间匹配电路4的第二端与输出级晶体管7的基极连接;输出级晶体管7的集电极与双频输出匹配电路5的第一端连接;双频输出匹配电路5的第二端与输出端口2连接。本发明实施例提供的双频功率放大器芯片具备双频工作能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 ingap gaas hbt 双频 功率放大器 芯片 | ||
【主权项】:
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