[发明专利]一种标准MOS工艺下提升性能的差分输入对管及提升方法有效
| 申请号： | 202010440928.7 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111599807B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡枭;郭智文;张超 | 申请（专利权）人： | 赛卓电子科技（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海怡恩专利代理事务所(普通合伙) 31336 | 代理人： | 潘青青 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区自由贸易*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种标准MOS工艺下提升差分输入对管性能的方法，本方法实现了在不增大版图面积的前提下，尽可能减少MOS管漏极的寄生电容，将MOS管的栅分解成阵列结构，栅极使用圆形画法，将漏极包围，并压缩漏极到工艺允许最小尺寸，此时栅极外侧为源极，输入对管的源极正好可以共享连接。通过缩小周长，避免拐角，提高单位面积MOS管效率，降低差分输入对管的寄生电容，从而提高工作频率，并提升匹配性能，减少差分输入对管的失调电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 标准 mos 工艺 提升 性能 输入 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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