[发明专利]一种Mn掺杂g-C3在审

专利信息
申请号: 202010431598.5 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN111450871A 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 黄云 申请(专利权)人: 南陵县巍曙新材料科技有限责任公司
主分类号: B01J27/24 分类号: B01J27/24;B01J35/10;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 242400 安徽省芜湖*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及光催化剂技术领域,且公开了一种Mn掺杂g‑C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料,包括以下配方原料及组分:多孔纳米ZnCo2O4修饰碳纳米管、Mn掺杂多孔g‑C3N4。该一种Mn掺杂g‑C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料,Mn掺杂多孔g‑C3N4具有超高的比表面积,锰离子的掺杂调节了g‑C3N4的电荷排布和电子结构,降低了禁带宽度,多孔纳米ZnCo2O4修饰碳纳米管,与Mn掺杂多孔g‑C3N4复合,Mn掺杂多孔g‑C3N4与多孔纳米ZnCo2O4之间形成异质结结构,Mn掺杂g‑C3N4的离域π键可以捕获ZnCo2O4的光生电子,减少光生电子和空穴的重组,碳纳米管可以电子受体,促进光生电子向碳纳米管迁移,加速了光生电子和空穴的分离,使Mn掺杂g‑C3N4负载多孔ZnCo2O4的光催化材料表现出优异的光催化降解活性。
搜索关键词: 一种 mn 掺杂 base sub
【主权项】:
暂无信息
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