[发明专利]一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池有效
申请号: | 202010427147.4 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN111697088B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 揭建胜;张晓宏;丁可 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18;H01L31/028;H01L31/06 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 白莉莉 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池。该制备方法包括:提供一非抛光的硅基底和一具有预设图案的灰度图;按照预设图案设定待显示在硅基底上的像素点阵列,每个像素点由待刻蚀在硅基底上的绒面结构所形成的待刻蚀区和未刻蚀绒面结构的未刻蚀区按照预定比例组成;根据硅基底和绒面结构的光学参数确定像素点的尺寸以及确定将待刻蚀区和未刻蚀区中哪个区域作为像素点的中心区域;获得灰度图的灰度值与像素点的中心区域边长之间的关系;将灰度图的灰度矩阵按照转换关系转换为待显示在硅基底上的像素点阵列组成的结构图形;利用结构图形制作获得光刻掩模板;利用光刻掩模板按照图案化工艺在硅基底上刻蚀出与灰度图对应的图案。 | ||
搜索关键词: | 一种 图案 结构 制备 方法 硅基光伏 电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的