[发明专利]一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010414092.3 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111689459B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王海容;田鑫;雷伟涛;王久洪;吴欣雨;金成;赵玉龙 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01N27/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅酸钙基底的气体传感器芯片结构及制备方法，以硅酸钙材料作为基底，将加热丝溅射其上，使其中心与硅酸钙基底重合，呈三阶双曲螺旋形，然后将测温电阻、敏感材料和测试电极依次溅射到硅酸钙基底材料上。加热丝通电后，由于硅酸钙具有极低的导热系数，极大地溅射了热量通过热传导方式散失，使用更小的电压即可将气敏材料加热到指定的工作温度。本发明结构简单，在保持低功耗特性的同时极大地降低了制造工艺的复杂度，无需对基底背面进行加工，提高了成品率，局部高温，外围近于常温，易于封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅酸 基底 气体 传感器 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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