[发明专利]一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法

摘要

本发明公开了一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。所述晶体为Pb17O8Cl18，所述助熔剂的体系包括PbO、金属卤化物M′X、金属卤化物M″X2和Bi2O3中的至少一种；M′为Li、Na或K，M″为Mg、Ca、Ba、Sr或Pb，X为F或Cl。晶体生长方法为：将多晶原料与助熔剂混合融化；在熔体温度饱和点上方开始引晶，熔体温度稳定在饱和点，开始晶体生长；晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，在弱氧化性气氛中进行退火处理。本发明充分照顾晶体生长的取向，有效提高晶体生长稳定性，减小生长过程中溶体挥发和体系粘度，解决晶体针状发育及生长的晶体易开裂、变颜色等问题，生长出的晶体尺寸大、光学质量高。