[发明专利]一种正面无副栅的单晶PERC电池制备方法

摘要

本发明涉及一种正面无副栅的单晶PERC电池制备方法。它包括S1：制绒工序；S2：扩散工序；S3：刻蚀工序；S4：退火；S5：背面沉积SiNx/AlOx钝化膜；S6：正面沉积SiNx减反膜；S7：激光开槽；S8：背面印刷背电极和背电场；S9：对硅片进行烘干烧结；S10：利用激光对硅片正面的SiNx开槽；S11：对硅片的正面使用PVD法沉积ITO薄膜；S12：使用正银浆料在硅片正面印刷电池的正电极；S13：低温固化工序。本发明利用ITO薄膜的导电性且电阻率低、可见光区域透过率高的优点，替换掉原来的正面副栅，使本发明的PERC电池不需要印刷正面的副栅，从而减小了正面的遮光面积,提高了太阳能电池光电转换效率。