[发明专利]一种测试灵敏方向可调的GMR磁场传感器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202010197191.0 申请日: 2020-03-19
公开(公告)号: CN111430535A 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 刘明;王志广;胡忠强;苏玮 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L43/02 分类号: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;G01R33/00;G01R33/09
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 贺小停
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种测试灵敏方向可调的GMR磁场传感器及制备方法,包括第一导电材料、第二导电材料、第三导电材料、基底和磁阻条;四个第一导电材料成四宫格状分布在基底表面;若干磁阻条平行等间距设置,相邻的两个磁阻条之间的端部通过第二导电材料连接,使若干磁阻条形成S型串联结构;相邻的第一导电材料之间均设置有S型串联结构,形成惠斯通电桥,S型串联结构端部的磁阻条与第一导电材料连接。本发明通过磁电耦合效应实现了一种灵敏方向可调的新型GMR磁场传感器,利用在压电基底上施加不同的电压改变自由层的磁化方向,最大可以实现探测方向90°调控。保证了在更多工程场景下的应用,可以提高传感器的性能表现,提高传感器的工作效率和应用范围。
搜索关键词: 一种 测试 灵敏 方向 可调 gmr 磁场 传感器 制备 方法
【主权项】:
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