[发明专利]磁性随机存储器的读出电路在审
| 申请号： | 202010190163.6 | 申请日： | 2020-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113496729A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;朱怡皓 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁性随机存储器(MRAM)的读出电路，用于读取磁性随机存储器磁性存储单元信息的前级读出电路，读通路负载管用以提供读操作的基准电流至待测的磁性存储单元；存取晶体管串联连接所述读通路负载管，存取晶体管另一端电性连接磁性隧道结的一端，且在给定的字线电压偏置下，所述存取晶体管被设置于饱和区，形成共栅极放大器。藉此所述读通路负载管与存取晶体管连接节点形成放大输出的读取电压，所述读取电压和参考电压一起作为读通路下一级电压灵敏放大器的输入。这样减少了前级读通路所用到的晶体管数目，减小了芯片的整体面积。同时该读出电路的设计也减少了读通路上的元器件占用的电源电压余量，从而降低了可工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机 存储器 读出 电路 | ||
【主权项】：
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