[发明专利]SRAM时序测试电路、方法和存储器有效
| 申请号： | 202010168172.5 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111383702B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 徐柯;王林;陈根华 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/10 | 分类号： | G11C29/10 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;刘芳 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例提供一种SRAM时序测试电路、方法和存储器。其中，SRAM时序测试电路包括第一模式切换电路、测试模式选择电路和第二模式切换电路，在SRAM时序测试电路测量双端口SRAM存储单元的数据读取时间时，利用双端口SRAM存储单元的读数据信号输出端在连续输出“0”时产生的短时脉冲干扰现象，使读时钟信号输入端每隔一段时间就产生一个上升沿，从而使读数据信号输出端可以持续输出，这样，双端口SRAM存储单元和SRAM时序测试电路的组合可以产生稳定的可测量的振荡输出，并且，SRAM时序测试电路可以单独产生稳定的可测量的振荡输出，从而根据两次振荡输出获得数据读取时间。 | ||
| 搜索关键词： | sram 时序 测试 电路 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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