[发明专利]一种重金属Au掺杂工艺在审
| 申请号： | 202010165468.1 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111463119A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 詹小勇;朱方杰;李赟;袁宏承 | 申请（专利权）人： | 无锡格能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人： | 张迎召 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市滨*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重金属Au掺杂工艺，包括待掺杂基材、重金属Au、薄层合金层，其特征在于：所述重金属Au掺杂工艺为半导体芯片制造的加工工艺方法。本发明采用步骤一清洗基材、步骤二蒸发淀积、步骤三合金退火、步骤四王水清洗、步骤五高温掺杂的五步工艺法，采用合金退火形成薄层合金层，王水清洗Au金属薄膜后再高温掺杂的工艺办法。实现重金属Au掺杂量的精准控制，半导体器件表面可以得到比较好的控制，对于半导体器件少子寿命可以做到精准控制，进一步实现对半导体器件少子寿命做精准控制，半导体器件相关电性参数均匀性和参数一致性得到保证。克服了现有技术的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重金属 au 掺杂 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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