[发明专利]一种新型磁敏感器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010156391.1 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN111341905A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 仇志军;杨强强 | 申请（专利权）人： | 苏州巧云信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/47 | 分类号： | H01L41/47;H01L41/12 |
| 代理公司： | 北京润川律师事务所 11643 | 代理人： | 张超;李保民 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江区太湖新城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型磁敏器件及其制备方法，包括：1)蓝宝石衬底上生长高阻GaN缓冲层；2)高阻GaN缓冲层上生长本征掺杂GaN层；3)本征掺杂GaN层上选择性沉积一层氧化铝；4)氧化铝上生长一层磁性薄膜，并通光刻、刻蚀工艺形成球或柱型结构；5)在无氧化铝的本征掺杂GaN层区域上，淀积叉指型金属电极。本发明创新性地利用了声表面波共振效应以及磁性材料对磁场敏感性特点，通过磁致伸缩效应改变GaN材料声表面波传播特性，从而使得声波的共振频率发生偏移，来实现对磁场的高灵敏探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 敏感 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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