[发明专利]一种氟化钙单晶的生长方法及所用装置在审
| 申请号： | 202010148083.4 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111270309A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 彭明林;徐悟生;张可生;周方;杨春晖 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛本征晶体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B15/10;C30B15/14;C30B15/20;C30B15/36 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 何晖 |
| 地址： | 066012 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氟化钙单晶的生长方法及所用装置，属于新材料制备技术领域，包括以氟化钙为原料，采用坩埚提拉法生长得到氟化钙单晶，氟化钙单晶在生长过程中由设置在坩埚侧面的侧加热器和设置在坩埚底部的底加热器共同调节温度，控制籽晶熔接及晶体生长过程中的升温或降温速率变化。本发明的单晶生长装置能精确控制籽晶附近温度从而控制籽晶熔接，氟化钙单晶生长方法的全部过程无铅、锌等除氧剂，从而确保了制备得到的氟化钙单晶无紫外区吸收，且单晶透过率高、应力双折射低，和单加热器生长的方式相比，能有效提高氟化钙单晶成品率及晶体质量，使晶体更适用于作为准分子激光窗口材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化钙 生长 方法 所用 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于秦皇岛本征晶体科技有限公司，未经秦皇岛本征晶体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010148083.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
