[发明专利]具有双层保护衬垫的存储器件在审
申请号: | 202010147141.1 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111668370A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | A·M·孔蒂;F·佩利泽尔;A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列贝内特斯凯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了存储器单元设计。在实施例中,存储器单元结构包括堆叠在顶部和底部电极之间的至少一个存储器位层。存储器位层为相应的存储器单元提供存储元件。可以在存储器位层与顶部或底部电极之一或两者之间包括一个或多个附加的导电层,以提供更好的欧姆接触。无论如何,在存储器位层的侧壁上提供电介质衬垫结构。衬垫结构包括电介质层,并且还可以包括第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层或第二电介质层中的任一个或两者包括高k电介质材料。正如将要理解的,电介质衬垫结构在蚀刻存储器位层下面的后续层期间有效地保护了存储器位层不受横向侵蚀和污染。 | ||
搜索关键词: | 具有 双层 保护 衬垫 存储 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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