[发明专利]具有双层保护衬垫的存储器件

说明书

公开了存储器单元设计。在实施例中，存储器单元结构包括堆叠在顶部和底部电极之间的至少一个存储器位层。存储器位层为相应的存储器单元提供存储元件。可以在存储器位层与顶部或底部电极之一或两者之间包括一个或多个附加的导电层，以提供更好的欧姆接触。无论如何，在存储器位层的侧壁上提供电介质衬垫结构。衬垫结构包括电介质层，并且还可以包括第一电介质层上的第二电介质层。第一电介质层或第二电介质层中的任一个或两者包括高k电介质材料。正如将要理解的，电介质衬垫结构在蚀刻存储器位层下面的后续层期间有效地保护了存储器位层不受横向侵蚀和污染。

背景技术

随着电子设备不断变得更小和更复杂，对存储更多数据并快速访问该数据的需求也类似地增长。已经开发出新的存储器架构，该存储器架构使用具有带有可变的体电阻的特殊材料的存储器单元的阵列，从而允许电阻值指示给定的存储器单元是存储逻辑“0”还是逻辑“1”。在制造这样的存储器架构时存在许多挑战。

附图说明

随着以下具体实施方式的进行并且在参考附图时，所要求保护的主题的实施例的特征和优点将变得显而易见，在附图中：

图1A示出了根据本公开的一些实施例的存储器单元的堆叠阵列的一部分的截面图。

图1B和图1C示出了根据本公开的一些实施例的存储器单元的堆叠阵列的正交截面图。

图2示出了根据本公开的一些实施例的包含一个或多个存储器管芯的芯片封装件的截面图。

图3示出了根据本公开的一些实施例的在存储器件的制造过程期间存储器件的一部分的截面图。

图4A和图4B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的状态的正交截面图。

图5A和图5B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图6A和图6B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图7A和图7B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图8A和图8B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图9A和图9B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图10A和图10B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图11A和图11B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图12A和图12B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图13A和图13B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图14A和图14B示出了根据本公开的一些实施例的在制造过程期间存储器件的另一状态的正交截面图。

图15是根据本公开的实施例的用于存储器件的制造工艺的流程图。

图16示出了可以包括本公开的实施例中的一个或多个的示例性电子设备。

尽管下面的具体实施方式将参考说明性实施例来进行，但是根据本公开，许多替代、修改和变化将是显而易见的。如将进一步理解的，附图不一定按比例绘制或旨在将本公开限制为所示的特定构造。例如，虽然一些附图通常指示完美的直线、直角和光滑的表面，但是考虑到使用的处理设备和技术的现实世界的局限性，集成电路结构的实际实施可能具有不那么完美的直线、直角，并且一些特征可能具有表面拓扑或在其他情况下是非光滑的。

具体实施方式