[发明专利]具有双层保护衬垫的存储器件在审

专利信息
申请号: 202010147141.1 申请日: 2020-03-05
公开(公告)号: CN111668370A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: A·M·孔蒂;F·佩利泽尔;A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列贝内特斯凯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 双层 保护 衬垫 存储 器件
【权利要求书】:

1.一种存储器件,包括:

多个导电的位线;

多个导电的字线;以及

包括在存储器单元阵列中的一组存储器单元,所述存储器单元中的每一个位于所述多个导电的位线中的相应位线和所述多个导电的字线中的相应字线之间,所述存储器单元中的每一个包括:

包括存储器位层的层堆叠体,以及

电介质层,所述电介质层仅在所述层堆叠体的总厚度的一部分的一个或多个侧壁上,使得所述电介质层在所述存储器位层的一个或多个侧壁上。

2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述存储器单元阵列被布置成三维,其中存储器单元被放置在沿着在Z方向上堆叠的多个XY平面的行和列中。

3.根据权利要求2所述的存储器件,其中,所述存储器单元中的一个或多个沿X方向的尺寸大于沿Y方向的尺寸。

4.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述层堆叠体仅由第一导电层、所述第一导电层上的所述存储器位层和所述存储器位上的第二导电层组成,并且其中,在所述多个导电的位线中的所述相应位线和所述多个导电的字线中的所述相应字线之间仅存在所述层堆叠体。

5.根据权利要求4所述的存储器件,其中,所述电介质层在所述第二导电层的一个或多个侧壁上,并且所述电介质层在所述第一电介质层的顶表面上。

6.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述多个导电的位线正交于所述多个导电的字线延伸。

7.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述存储器单元中的一个或多个具有在约60nm和约80nm之间的高度。

8.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述电介质层包括高k材料。

9.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述电介质层是第一电介质层,所述器件还包括所述第一电介质层之上的第二电介质层,其中,所述第二电介质层在所述层堆叠体的所述总厚度的一个或多个侧壁之上,使得所述第一电介质层在至少一个位置中不存在于所述第二电介质层和所述层堆叠体之间。

10.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述存储器位层包括硫族化物。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的存储器件,其中,所述多个导电的位线和所述多个导电的字线包括钨和碳中的一个或两个。

12.一种集成电路,包括根据权利要求1-10中任一项所述的存储器件。

13.一种印刷电路板,包括根据权利要求12所述的集成电路。

14.一种存储器芯片,包括根据权利要求1-10中任一项所述的存储器件。

15.一种电子器件,包括:

包括一个或多个管芯的芯片封装件,所述一个或多个管芯中的至少一个包括:

在字线和位线之间的层堆叠体,所述层堆叠体包括存储器位层,以及

电介质层,所述电介质层仅在所述层堆叠体的总厚度的一部分的一个或多个侧壁上,使得所述电介质层在所述存储器位层的一个或多个侧壁上。

16.根据权利要求15所述的电子器件,其中,所述电介质层包括高k材料。

17.根据权利要求15所述的电子器件,其中,所述电介质层是第一电介质层,所述器件还包括所述第一电介质层之上的第二电介质层,其中,所述第二电介质层在所述层堆叠体的所述总厚度的一个或多个侧壁之上,使得所述第一电介质层在至少一个位置中不存在于所述第二电介质层和所述层堆叠体之间。

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