[发明专利]一种晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体管结构及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的制备方法包括以下步骤：提供一基底，基底上设有多个栅极结构；在栅极结构的两侧形成第二侧墙结构和台阶结构，其中第二侧墙结构设置在每个栅极结构的两侧，其中台阶结构设置在第二侧墙结构与基底之间；在基底上形成薄膜层，所述薄膜层覆盖所述基底、所述多个栅极结构、所述第二侧墙结构和所述台阶结构。本发明解决了由于栅极结构侧墙与基底处薄膜生长速率的差异，造成的在薄膜沉积过程中出现深坑或孔洞等缺陷的问题，这避免了后继接触管道的漏电及器件的失效，从而保证了晶体管产品的质量。