[发明专利]基于电极光栅的双波长可调谐半导体激光器有效
| 申请号： | 202010139463.1 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111326950B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 许博蕊;孙甲政;夏施君;孙文惠;包帅;袁海庆;祝宁华;朱厦;徐长达;王丹丹;齐艺超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/062 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双波长可调谐半导体激光器，自下而上依次包括N面电极层、衬底层、缓冲层、下波导层、有源层、上波导层、刻蚀自停止层、包层、欧姆接触层、钝化层和P面电极层，其中，包层和欧姆接触层构成波导结构，所述波导结构为Y分支波导结构，所述激光器的光栅结构为电极光栅。本发明利用Y分支波导结构在出光面同一位置实现双波长输出。本发明的电极光栅结构包括高阶均匀光栅结构、高阶取样光栅结构、啁啾重构光栅结构，降低了工艺制造过程中的精度要求，易于制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电极 光栅 波长 调谐 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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