[发明专利]一种共掺杂绿光荧光发光纳米晶材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010129048.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111454712A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陆阳清;王凯;陈泽楷;张鑫洋 | 申请（专利权）人： | 杭州众道光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/74;B82Y40/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311231 浙江省杭州市萧山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于无机发光材料领域，尤其涉及一种共掺杂绿光荧光发光纳米晶材料及其制备方法和应用，一种共掺杂绿光荧光发光纳米晶材料该纳米晶材料具有以下的结构式：10Ca/6Tb:Bi2O2S。采用上述技术方案特殊之处在于在制备纳米晶的过程中通过加入碱土钙离子降低硫氧化铋纳米晶的形核能垒进而促进硫氧化铋纳米晶的生长且纳米晶表面由于油酸的包覆而带负电。制备得到的Ca/Tb:Bi2O2S纳米晶材料发出明亮的绿光荧光量子效率为40.2%。在该体系中Tb3+离子的5d能级位置较低4f‑5d跃迁位于紫外区域与Hg2+离子在紫外区域的吸收峰位置相近当纳米晶表面通过静电吸附Hg2+离子后Tb3+离子5d能级上的电子经Hg2+离子无辐射弛豫到基态减少了Tb3+离子5D4能级的电子布居数导致Tb3+离子的发光强度减弱且减弱的幅度非常明显非常适合于Hg2+离子的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 荧光 发光 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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