[发明专利]一种MEMS压阻传感器的内建自测试装置及测试方法有效
申请号: | 202010123778.7 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111238698B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22;G01L9/04;G01L25/00;G01L27/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张雪娇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种MEMS压阻传感器的内建自测试装置及自测试方法,所述MEMS压阻传感器的内建自测试装置在对MEMS压阻传感器进行测试时,无需对MEMS压阻传感器施加物理激励即可实现传感器灵敏度的测量与计算,简化了MEMS压阻传感器的测试过程,提高了生产效率;并且同样由于MEMS压阻传感器的内建自测试装置无需借助片外设备对MEMS压阻传感器施加物理激励,实现了在测试过程中无需片外设备的目的,降低了测试成本以及生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 传感器 测试 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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