[发明专利]ITiO旋转靶材及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010116105.9 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111233440A 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 甘志俭;庄志杰;诸斌;庄猛;杨斌 申请(专利权)人: 基迈克材料科技(苏州)有限公司
主分类号: C04B35/01 分类号: C04B35/01;C04B35/622;C23C14/34;C04B35/632;C04B35/634
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 侯武娇
地址: 215200 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种ITiO旋转靶材及其制备方法。ITiO旋转靶材的制备方法包括如下步骤:按照质量份数,将90份~99.5份的In2O3纳米粉体、0.5份~10份的TiO2纳米粉体、0.5份~5份的分散剂、0.5份~5份的粘接剂与水混合均匀,研磨后得到浆料;其中,In2O3纳米粉体的比表面积为5m2/g~20m2/g,TiO2纳米粉体的比表面积为20m2/g~50m2/g;将浆料进行喷雾造粒,得到ITiO粉体;将ITiO粉体装入模具中,使用冷等静压成型,得到旋转靶材素坯;以及将旋转靶材素坯进行烧结,退火之后得到ITiO旋转靶材。经试验证明,本发明的上述ITiO旋转靶材的制备方法制备得到ITiO旋转靶材的相对密度≥98%,ITiO旋转靶材的电阻率≤4.0×10‑4Ω·cm,因此,通过上述ITiO旋转靶材的制备方法能够得到致密度和导电性良好的高性能ITiO旋转靶材。
搜索关键词: itio 旋转 及其 制备 方法
【主权项】:
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