[发明专利]焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202010102875.8 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111276399A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李乔伟;胡胜;赵长林 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01L23/488 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种焊盘结晶缺陷的返工方法及半导体器件，包括提供前端器件，所述前端器件上形成有金属层，所述金属层上形成有聚酰亚胺层，所述焊盘上形成有结晶缺陷；以所述聚酰亚胺层为掩膜，刻蚀去除焊盘上的部分金属层，同时轰击结晶缺陷，以使结晶缺陷离散，聚酰亚胺层起到掩膜层和钝化层的作用；再进行清洗工艺将结晶缺陷去除；执行塑化工艺，形成覆盖所述焊盘的保护层，保护层不仅阻断结晶缺陷的产生，还阻止已产生的结晶缺陷侵蚀返工后的晶圆。本发明能够有效解决以聚酰亚胺作为钝化层的半导体器件的焊盘表面结晶缺陷的问题，通过返工减少报废。节省了常规返工工艺中在钝化层上还需再形成图形化的掩膜层工序，有利于工艺成本控制。 | ||
| 搜索关键词： | 盘结 缺陷 返工 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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